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一种ZnO纳米同质p-n结阵列的制备方法 ( 电学/化学-冶金/化学-冶金 )

  • cn201110163518.3 发明
  • 2016-09-07
  • 电学/化学-冶金/化学-冶金
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本发明涉及ZnO纳米同质p-n结阵列的制备方法,先在衬底上沉积一层(002)取向的ZnO薄膜;然后将Zn粉、ZnO粉、石墨和掺杂源混合作为源材料,放入一端开口的石英舟的密闭端一侧,将衬底置于石英舟的开口端一侧,石英舟放在水平管式炉反应室中,石英舟开口端处于气流的下方向,反应室抽真空,源材料加热到550~650℃,向反应室通入Ar或N2为载气,O2为反应气体,保温生长下层ZnO纳米棒阵列;停止通入气体,继续升温至850~950℃,通入载气和O2,保温生长上层ZnO纳米棒阵列,形成ZnO纳米同质p-n结阵列。本发明方法仅由一次升温过程完成,简单易行,可实现不同掺杂的ZnO纳米同质p-n结阵列,同质结高度一致,性能优异,尺寸均一,分布均匀,有利于提高ZnO纳米器件的特性。

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