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专利介绍交易流程

本发明公开了一种JFET及其制造方法以及使用该JFET的微型逆变器，其JFET包括漏极欧姆接触电极、衬底、SiC漂移层、N型SiC沟道层和N型SiC欧姆接触层以及两个栅极肖特基接触电极；其制造方法包括步骤：一、提供衬底,二、形成SiC外延层，三、形成N型SiC沟道层和SiC漂移层；四、形成N型SiC欧姆接触层,五、形成漏极和源极欧姆接触电极,六、形成两个栅极肖特基接触电极；其微型逆变器包括电容C1、C2和C3，电感L1，JFET1、JFET2和JFET3，以及碳化硅肖特基二极管D1、D2、D3和D4。本发明实现方便且成本低，提高了微型逆变器的工作频率和工作可靠性，降低了电能损耗和电价，实用性强。

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