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少层数MoS2/石墨烯电化学贮锂复合电... ( 电学 )

  • cn201210187858.4 发明
  • 2016-09-07
  • 电学
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本发明涉及少层数MoS2/石墨烯电化学贮锂复合电极的制备方法,其步骤是:将氧化石墨烯超声分散在去离子水中,搅拌下先加入八烷基三甲基溴化铵阳离子表面活性剂,然后加入硫代钼酸铵并滴加水合肼,于95℃回流反应,使硫代钼酸铵和氧化石墨烯同时分别还原成MoS2和石墨烯,离心收集固体产物,去离子洗涤,干燥,在氮气/氢气混合气氛中热处理,得到少层数(2-4层)MoS2与石墨烯的复合纳米材料,将少层数MoS2与石墨烯复合纳米材料与乙炔黑及聚偏氟乙烯调成糊状物,涂到铜箔上滚压。本发明方法工艺简单,不消耗有机溶剂。以少层数MoS2/石墨烯复合材料为电化学贮锂复合电极,具有高电化学贮锂比容量,优异的循环性能和好的高倍率充放电特性。

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