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一种太阳能电池的制造方法 ( 电学 )

  • cn201310112386.0 发明
  • 2016-12-15
  • 电学
专利申请人:南通大学 咨询ta
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本发明涉及一种太阳能电池的制造方法,步骤如下:应用离子注入的方法将杂质注入硅片形成PN结;淀积含有掺杂元素的二氧化硅薄膜;除去硅片上表面电极区以外的二氧化硅;在硅片上表面淀积本征非晶硅层;将硅片置于干氧环境中进行高温扩散,使非电极区的掺杂元素逆向扩散入非晶硅层,电极区氧化层中的掺杂元素进一步向电极区扩散,同时形成表层氧化层;去除硅片表面的非晶硅层和氧化层;在硅片表面淀积氮化硅抗反射薄膜;最后烧制金属电极。本发明通过离子注入的方式,降低了表面杂质浓度,后通过高温过程,使非晶硅吸收非电极区的杂质,进一步降低了非电极区的掺杂浓度,致使电极区与非电极区的掺杂浓度差加大,提高了电池的性能。

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